خرید و دانلود فصل دوم پایان نامه ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی با فرمت docx در قالب 21 صفحه ورد بصورت کامل و جامع با قابلیت ویرایش

خصوصیات الکترونی عالی ترانزیستورهای ساخته شده با استفاده از CNT ، آنها را به عنوان کاندیدهای بالقوه مدارات مجتمع آینده تبدیل کرده است. اصلیترین تفاوت بین CNFET و SiCMOS جنس کانال آنها است، که در CNFET نانو لوله- های تک جداره میباشد. نانو لولهی کربن تک جداره 1از استوانه های توخالی که اتمهای کربن در آنها به شکل شبکه کندوی عسل مرتب شده اند، تشکیل شده است [14] .

فهرست مطالب
2-1 ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی 11
2-2 کاربرد نانولوله کربنی در نانو الکتریک 13
2-3 روشهای تولید و رشد نانولوله کربنی 14
2-4 ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی 16
2-4-1روال ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی 18
2-5 مزایای استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی 19
2-6 چالش های استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی 20
2-6-1 تغییر پذیری در قطر نانولوله های کربنی 21
2-6-2 تراکم بسته بندی نانولوله ها 23
2-6-3 فاصله بین نانولوله های کربنی مجاور و تغییر پذیری آن 24
2-6-4 نامرتبی در نانو لوله ها 24
2-6-5 وجود اتصالات SB بین سورس و درین و نانولوله ها 24
2-6-6 رشد ناخواسته فلز در نانو لوله ها 25
منابع